casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTK82N25P
Número de pieza del fabricante | IXTK82N25P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTK82N25P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ |
IXTK82N25P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 82A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 41A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264 (IXTK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK82N25P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTK82N25P-FT |
IXFK78N50P3
IXYS
IXFK180N10
IXYS
IXTK140N30P
IXYS
IXFK66N85X
IXYS
IXTK200N10L2
IXYS
IXTK120N65X2
IXYS
IXFK80N60P3
IXYS
IXFB90N85X
IXYS
IXTK5N250
IXYS
IXKK85N60C
IXYS
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation