casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK150N30X3
Número de pieza del fabricante | IXFK150N30X3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFK150N30X3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK150N30X3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 254nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13.1nF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 890W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264 |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK150N30X3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFK150N30X3-FT |
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120U10SAG
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APTM120DA30CT1G
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APTM100UM65SAG
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APTC90DAM60T1G
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APTC60DAM18CTG
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XC2S200-5FGG456I
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AX1000-2FGG484
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EP1S20F672I7
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XC7VX980T-1FFG1930C
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A42MX16-PQG160I
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LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel