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Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G

Name: APTM120DA30CT1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DA30CT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (88 reviews)

Número de pieza de MFG: APTM120DA30CT1G

Cantidad disponible: 16630 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APTM120DA30CT1G.pdf

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APTM120DA30CT1G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APTM120DA30CT1G
Número de parte futuro	FT-APTM120DA30CT1G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 8™
APTM120DA30CT1G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	14560pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	657W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SP1
Paquete / Caja	SP1
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA30CT1G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APTM120DA30CT1G-FT

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