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APT19M120J Image

Microsemi Corporation APT19M120J

Número de pieza de MFG
APT19M120J
Cantidad disponible
76890 Piezas
Precio de referencia
USD 28.528
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante APT19M120J
Número de parte futuro FT-APT19M120J
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie POWER MOS 8™
APT19M120J Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9670pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 545W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor ISOTOP®
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT19M120J Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT19M120J-FT

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