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Microsemi Corporation APT50M65B2FLLG

Name: APT50M65B2FLLG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT50M65B2FLLG
Price: 18.657864 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (29 reviews)

Número de pieza de MFG: APT50M65B2FLLG

Cantidad disponible: 39080 Piezas

Precio de referencia: USD 18.657864

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fabricante: Microsemi Corporation

Breve descripción: POWER MOS 7® MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: APT50M65B2FLLG.pdf

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APT50M65B2FLLG Presupuesto

Número de pieza del fabricante	APT50M65B2FLLG
Número de parte futuro	FT-APT50M65B2FLLG
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	POWER MOS 7®
APT50M65B2FLLG Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	67A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	141nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7010pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja	TO-247-3 Variant
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50M65B2FLLG Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	APT50M65B2FLLG-FT

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