casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT24M120L
Número de pieza del fabricante | APT24M120L |
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Número de parte futuro | FT-APT24M120L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT24M120L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 680 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8370pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1040W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264 [L] |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT24M120L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT24M120L-FT |
PMV100ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV100XPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV120ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV20XNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV230ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV250EPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV25ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV27UPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV280ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV28UNEAR
Nexperia USA Inc.
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel