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APT34N80B2C3G Image

Microsemi Corporation APT34N80B2C3G

Número de pieza de MFG
APT34N80B2C3G
Cantidad disponible
87750 Piezas
Precio de referencia
USD 9.136
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APT34N80B2C3G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 355nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4510pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja TO-247-3 Variant
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34N80B2C3G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APT34N80B2C3G-FT

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