casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APTM120U10SCAVG
Número de pieza del fabricante | APTM120U10SCAVG |
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Número de parte futuro | FT-APTM120U10SCAVG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APTM120U10SCAVG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 116A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 28900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3290W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SP6 |
Paquete / Caja | SP6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM120U10SCAVG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APTM120U10SCAVG-FT |
APT30M19JVR
Microsemi Corporation
APT30M60J
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel