casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK120N25P
Número de pieza del fabricante | IXFK120N25P |
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Número de parte futuro | FT-IXFK120N25P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXFK120N25P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK120N25P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFK120N25P-FT |
APTM20SKM04G
Microsemi Corporation
APTM20DAM05G
Microsemi Corporation
APTM120U10SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120U10SAG
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APTM120DA30CT1G
Microsemi Corporation
APTM10UM01FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM65SAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45FAG
Microsemi Corporation
APTM100UM45DAG
Microsemi Corporation
APTC90DAM60T1G
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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