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Infineon Technologies IRLMS2002TRPBF

Número de pieza de MFG
IRLMS2002TRPBF
Cantidad disponible
30430 Piezas
Precio de referencia
USD 0.193056
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRLMS2002TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1310pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Micro6™(SOT23-6)
Paquete / Caja SOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLMS2002TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRLMS2002TRPBF-FT

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