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Toshiba Semiconductor and Storage TK50E06K3A,S1X(S

Name: TK50E06K3A,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK50E06K3A,S1X(S
Availability: InStock
Rating: 4.6 (197 reviews)

Número de pieza de MFG: TK50E06K3A,S1X(S

Cantidad disponible: 61200 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIV MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK50E06K3A,S1X(S.pdf

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Número de pieza del fabricante	TK50E06K3A,S1X(S
Número de parte futuro	FT-TK50E06K3A,S1X(S
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIV
TK50E06K3A,S1X(S Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK50E06K3A,S1X(S Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK50E06K3A,S1X(S-FT

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