casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK70D06J1(Q)
Número de pieza del fabricante | TK70D06J1(Q) |
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Número de parte futuro | FT-TK70D06J1(Q) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TK70D06J1(Q) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5450pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220(W) |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK70D06J1(Q) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TK70D06J1(Q)-FT |
RJK4002DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJK4006DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJK4007DPP-M0#T2
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RJK5026DPP-M0#T2
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RJL5012DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
SPA03N60C3XKSA1
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SPA04N50C3XKSA1
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SPA06N60C3XKSA1
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SPA07N60CFDXKSA1
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SPA07N65C3XKSA1
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5SGXMB6R2F40I2N
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XC5VLX110-3FFG1760C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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