casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLMS1902TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRLMS1902TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRLMS1902TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRLMS1902TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 300pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Micro6™(TSOP-6) |
Paquete / Caja | SOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLMS1902TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRLMS1902TRPBF-FT |
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