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Infineon Technologies IRL60B216

Name: IRL60B216
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL60B216
Price: 3.512 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (164 reviews)

Número de pieza de MFG: IRL60B216

Cantidad disponible: 18800 Piezas

Precio de referencia: USD 3.512

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 60V 195A

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRL60B216.pdf

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IRL60B216 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRL60B216
Número de parte futuro	FT-IRL60B216
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRL60B216 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	195A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	258nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	15570pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL60B216 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRL60B216-FT

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