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IRF60B217 Image

Infineon Technologies IRF60B217

Número de pieza de MFG
IRF60B217
Cantidad disponible
31680 Piezas
Precio de referencia
USD 1.376
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
StrongIRFET™ MOSFET N-CH 60V 60A
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF60B217
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie StrongIRFET™
IRF60B217 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2230pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF60B217 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF60B217-FT

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