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AUIRFU8401 Image

Infineon Technologies AUIRFU8401

Número de pieza de MFG
AUIRFU8401
Cantidad disponible
59650 Piezas
Precio de referencia
USD 0.608728
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante AUIRFU8401
Número de parte futuro FT-AUIRFU8401
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
AUIRFU8401 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFU8401 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto AUIRFU8401-FT

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