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Infineon Technologies IRF6614TRPBF

Número de pieza de MFG
IRF6614TRPBF
Cantidad disponible
79290 Piezas
Precio de referencia
USD 0.88088
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6614TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12.7A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2560pF @ 20V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET™ ST
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric ST
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6614TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF6614TRPBF-FT

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