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Infineon Technologies IRF630NPBF

Name: IRF630NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF630NPBF
Price: 0.768 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (748 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF630NPBF

Cantidad disponible: 34040 Piezas

Precio de referencia: USD 0.768

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF630NPBF.pdf

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IRF630NPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF630NPBF
Número de parte futuro	FT-IRF630NPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF630NPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	575pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	82W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF630NPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF630NPBF-FT

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