casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU5410
Número de pieza del fabricante | IRFU5410 |
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Número de parte futuro | FT-IRFU5410 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU5410 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 760pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 66W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU5410 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFU5410-FT |
IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R900P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel