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Infineon Technologies IPN80R4K5P7ATMA1

Número de pieza de MFG
IPN80R4K5P7ATMA1
Cantidad disponible
42420 Piezas
Precio de referencia
USD 0.236904
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IPN80R4K5P7ATMA1
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ P7
IPN80R4K5P7ATMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 80pF @ 500V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223
Paquete / Caja TO-261-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN80R4K5P7ATMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPN80R4K5P7ATMA1-FT

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