casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPL60R185C7AUMA1
Número de pieza del fabricante | IPL60R185C7AUMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPL60R185C7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPL60R185C7AUMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1080pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 77W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-VSON-4 |
Paquete / Caja | 4-PowerTSFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R185C7AUMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPL60R185C7AUMA1-FT |
IPA126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R650CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XA3S400-4FGG456I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
EP4CE55F23C9LN
Intel
EP3C80F780I7N
Intel
EP20K200RC240-1
Intel
EP2S90F1020C3
Intel