casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA126N10N3GXKSA1
Número de pieza del fabricante | IPA126N10N3GXKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPA126N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPA126N10N3GXKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 33W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-FP |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA126N10N3GXKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPA126N10N3GXKSA1-FT |
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP603S2LHUMA1
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BSP613P
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BSP88E6327
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BSP88H6327XTSA1
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BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP89 E6327
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation