casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP615S2L
Número de pieza del fabricante | BSP615S2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSP615S2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSP615S2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 12µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP615S2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP615S2L-FT |
SPU30P06P
Infineon Technologies
BSP299H6327XUSA1
Infineon Technologies
BSP295H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP320SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel