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Infineon Technologies BSP89H6327XTSA1

Número de pieza de MFG
BSP89H6327XTSA1
Cantidad disponible
94440 Piezas
Precio de referencia
USD 0.208968
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N-CH 4SOT223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSP89H6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 240V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 350mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 108µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 140pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP89H6327XTSA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BSP89H6327XTSA1-FT

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