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Infineon Technologies IRFHM8326TRPBF

Name: IRFHM8326TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM8326TRPBF
Price: 0.216032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (91 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFHM8326TRPBF

Cantidad disponible: 83410 Piezas

Precio de referencia: USD 0.216032

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 25A PQFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFHM8326TRPBF.pdf

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IRFHM8326TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFHM8326TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRFHM8326TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM8326TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2496pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM8326TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFHM8326TRPBF-FT

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