casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC240N12NS3 G
Número de pieza del fabricante | BSC240N12NS3 G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSC240N12NS3 G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC240N12NS3 G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 120V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 31A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1900pF @ 60V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 66W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC240N12NS3 G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSC240N12NS3 G-FT |
BSC022N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC024N025S G
Infineon Technologies
BSC025N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC026N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC026N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC026N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC027N03S G
Infineon Technologies
BSC027N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel