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Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1

Name: BSC252N10NSFGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC252N10NSFGATMA1
Price: 0.385416 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (177 reviews)

Número de pieza de MFG: BSC252N10NSFGATMA1

Cantidad disponible: 81720 Piezas

Precio de referencia: USD 0.385416

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: BSC252N10NSFGATMA1.pdf

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BSC252N10NSFGATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	BSC252N10NSFGATMA1
Número de parte futuro	FT-BSC252N10NSFGATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSC252N10NSFGATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.2A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 43µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1100pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC252N10NSFGATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	BSC252N10NSFGATMA1-FT

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