casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP88E6327
Número de pieza del fabricante | BSP88E6327 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSP88E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP88E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 240V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 350mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 108µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 95pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP88E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP88E6327-FT |
BSP299H6327XUSA1
Infineon Technologies
BSP295H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP317PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP320SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP170PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP92PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP149H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP300H6327XUSA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel