casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP300H6327XUSA1
Número de pieza del fabricante | BSP300H6327XUSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BSP300H6327XUSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP300H6327XUSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 190mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 230pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP300H6327XUSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSP300H6327XUSA1-FT |
IRFHM8330TRPBF
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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