casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPN70R450P7SATMA1
Número de pieza del fabricante | IPN70R450P7SATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPN70R450P7SATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPN70R450P7SATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 424pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 7.1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223 |
Paquete / Caja | TO-261-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN70R450P7SATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPN70R450P7SATMA1-FT |
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel