casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPN70R450P7SATMA1
Número de pieza del fabricante | IPN70R450P7SATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPN70R450P7SATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPN70R450P7SATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 424pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 7.1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223 |
Paquete / Caja | TO-261-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN70R450P7SATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPN70R450P7SATMA1-FT |
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125C7AUMA1
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IPL60R125P7AUMA1
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IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel