casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3911PBF
Número de pieza del fabricante | IRFU3911PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFU3911PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU3911PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 740pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 56W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | IPAK (TO-251) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3911PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFU3911PBF-FT |
IPN50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R1K0CEATMA1
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IPN60R1K5CEATMA1
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IPN60R2K1CEATMA1
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IPN60R360P7SATMA1
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IPN60R600P7SATMA1
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IPN65R1K5CEATMA1
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IPN70R1K2P7SATMA1
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IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel