casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPN60R1K0CEATMA1
Número de pieza del fabricante | IPN60R1K0CEATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPN60R1K0CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPN60R1K0CEATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 280pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223 |
Paquete / Caja | SOT-223-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN60R1K0CEATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPN60R1K0CEATMA1-FT |
AUIRF7669L2TR
Infineon Technologies
AUIRF7749L2TR
Infineon Technologies
AUIRF8739L2TR
Infineon Technologies
AUIRF7739L2
Infineon Technologies
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies
AUIRF7759L2TR
Infineon Technologies
AUIRF7769L2TR
Infineon Technologies
AUIRF7799L2TR
Infineon Technologies
IRL7472L1TRPBF
Infineon Technologies
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel