casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPN70R1K5CEATMA1
Número de pieza del fabricante | IPN70R1K5CEATMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPN70R1K5CEATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPN70R1K5CEATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 225pF @ 100V |
Característica FET | Super Junction |
Disipación de potencia (max) | 5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT223 |
Paquete / Caja | SOT-223-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPN70R1K5CEATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPN70R1K5CEATMA1-FT |
IRL7472L1TRPBF
Infineon Technologies
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel