casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFI740G
Número de pieza del fabricante | IRFI740G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFI740G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI740G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1370pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 40W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI740G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFI740G-FT |
TK6A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IPA50R520CPXKSA1
Infineon Technologies
TK20A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ304(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ380(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel