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Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X

Número de pieza de MFG
TK6A80E,S4X
Cantidad disponible
77460 Piezas
Precio de referencia
USD 1.512
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-TK6A80E,S4X
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie π-MOSVIII
TK6A80E,S4X Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 600µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1350pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja TO-220-3 Full Pack
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6A80E,S4X Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto TK6A80E,S4X-FT

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