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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ304(F)

Número de pieza de MFG
2SJ304(F)
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11020 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
2SJ304(F) Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1200pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220NIS
Paquete / Caja TO-220-3 Full Pack
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ304(F) Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto 2SJ304(F)-FT

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