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Infineon Technologies IRFH5053TRPBF

Name: IRFH5053TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5053TRPBF
Price: 0.70092 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (562 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFH5053TRPBF

Cantidad disponible: 47580 Piezas

Precio de referencia: USD 0.70092

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFH5053TRPBF.pdf

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IRFH5053TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFH5053TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRFH5053TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFH5053TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.3A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1510pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PQFN (5x6) Single Die
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5053TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFH5053TRPBF-FT

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