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IXYS IXTR200N10P

Name: IXTR200N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTR200N10P
Price: 8.362136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (744 reviews)

Número de pieza de MFG: IXTR200N10P

Cantidad disponible: 21200 Piezas

Precio de referencia: USD 8.362136

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXTR200N10P.pdf

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IXTR200N10P Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXTR200N10P
Número de parte futuro	FT-IXTR200N10P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, PolarP2™
IXTR200N10P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7600pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	ISOPLUS247™
Paquete / Caja	ISOPLUS247™
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTR200N10P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXTR200N10P-FT

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