casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTN21N100
Número de pieza del fabricante | IXTN21N100 |
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Número de parte futuro | FT-IXTN21N100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MegaMOS™ |
IXTN21N100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 520W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN21N100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTN21N100-FT |
IXFN40N110P
IXYS
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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