casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTF1N400
Número de pieza del fabricante | IXTF1N400 |
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Número de parte futuro | FT-IXTF1N400 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTF1N400 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 4000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2530pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 160W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paquete / Caja | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTF1N400 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTF1N400-FT |
IXFN64N50PD2
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
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