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Infineon Technologies IRFB31N20DPBF

Name: IRFB31N20DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB31N20DPBF
Price: 1.92 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (611 reviews)

Número de pieza de MFG: IRFB31N20DPBF

Cantidad disponible: 28740 Piezas

Precio de referencia: USD 1.92

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRFB31N20DPBF.pdf

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IRFB31N20DPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRFB31N20DPBF
Número de parte futuro	FT-IRFB31N20DPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFB31N20DPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	31A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2370pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB31N20DPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRFB31N20DPBF-FT

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