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Infineon Technologies IRF200B211

Name: IRF200B211
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200B211
Price: 0.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (39 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF200B211

Cantidad disponible: 50080 Piezas

Precio de referencia: USD 0.928

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF200B211.pdf

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IRF200B211 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF200B211
Número de parte futuro	FT-IRF200B211
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF200B211 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	790pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200B211 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF200B211-FT

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