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Infineon Technologies IRFB7530PBF

Número de pieza de MFG
IRFB7530PBF
Cantidad disponible
93480 Piezas
Precio de referencia
USD 2.888
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFB7530PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®, StrongIRFET™
IRFB7530PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 195A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 411nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13703pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja TO-220-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB7530PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFB7530PBF-FT

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