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Infineon Technologies IRF8313TRPBF

Name: IRF8313TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8313TRPBF
Price: 0.226488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (247 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF8313TRPBF

Cantidad disponible: 41420 Piezas

Precio de referencia: USD 0.226488

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF8313TRPBF.pdf

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IRF8313TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF8313TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRF8313TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF8313TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	760pF @ 15V
Potencia - max	2W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8313TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF8313TRPBF-FT

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