casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7805TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF7805TRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF7805TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7805TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7805TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7805TRPBF-FT |
SPP80P06PBKSA1
Infineon Technologies
BSV236SPH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD214SN L6327
Infineon Technologies
BSD214SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD314SPEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSD316SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD316SNL6327XT
Infineon Technologies
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSV236SP L6327
Infineon Technologies
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel