casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF6662TR1PBF
Número de pieza del fabricante | IRF6662TR1PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF6662TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6662TR1PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MZ |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric MZ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6662TR1PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF6662TR1PBF-FT |
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