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Infineon Technologies IRF6662TR1PBF

Número de pieza de MFG
IRF6662TR1PBF
Cantidad disponible
12430 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IRF6662TR1PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6662TR1PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1360pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric MZ
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6662TR1PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF6662TR1PBF-FT

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