casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF8327STR1PBF
Número de pieza del fabricante | IRF8327STR1PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF8327STR1PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF8327STR1PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1430pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ SQ |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric SQ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF8327STR1PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF8327STR1PBF-FT |
AUIRF7640S2TR
Infineon Technologies
AUIRF7665S2TR
Infineon Technologies
IRF7665S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7665S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6619
Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6616TRPBF
Infineon Technologies
IRF6619TR1
Infineon Technologies
IRF6620TRPBF
Infineon Technologies
IRF6678
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel