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Infineon Technologies IPL65R1K0C6SATMA1

Name: IPL65R1K0C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R1K0C6SATMA1
Price: 0.459496 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (508 reviews)

Número de pieza de MFG: IPL65R1K0C6SATMA1

Cantidad disponible: 93640 Piezas

Precio de referencia: USD 0.459496

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ C6 MOSFET N-CH 8TSON

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPL65R1K0C6SATMA1.pdf

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IPL65R1K0C6SATMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPL65R1K0C6SATMA1
Número de parte futuro	FT-IPL65R1K0C6SATMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ C6
IPL65R1K0C6SATMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	328pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	34.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Thin-PAK (5x6)
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPL65R1K0C6SATMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPL65R1K0C6SATMA1-FT

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