casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPC60R190E6X1SA1
Número de pieza del fabricante | IPC60R190E6X1SA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IPC60R190E6X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
IPC60R190E6X1SA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC60R190E6X1SA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPC60R190E6X1SA1-FT |
HAT2170HWS-E
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel