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Infineon Technologies IPC60R190E6UNSAWNX6SA1

Número de pieza de MFG
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Cantidad disponible
54410 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
- MOSFET N-CH BARE DIE
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Número de parte futuro FT-IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET -
Tecnología -
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje -
Paquete del dispositivo del proveedor -
Paquete / Caja -
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPC60R190E6UNSAWNX6SA1-FT

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