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Infineon Technologies IPC60R190E6UNSAWNX6SA1

Name: IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (759 reviews)

Número de pieza de MFG: IPC60R190E6UNSAWNX6SA1

Cantidad disponible: 54410 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: - MOSFET N-CH BARE DIE

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IPC60R190E6UNSAWNX6SA1.pdf

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IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
Número de parte futuro	FT-IPC60R190E6UNSAWNX6SA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	-
Tecnología	-
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	-
Paquete del dispositivo del proveedor	-
Paquete / Caja	-
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IPC60R190E6UNSAWNX6SA1-FT

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